Надпреварата за по-малко нанометри в производството на чипове повдига не без основание въпроса доколко коректно е сравнението по този показател на технологиите на Intel, TSMC, Samsung и останалите чипмейкъри.

Експертните анализи сочат, че цифровото обозначение не винаги позволява адекватно да се преценят геометричните характеристики на транзисторите. Intel твърди, че 7-нм процес на TSMC е еквивалент на нейния 10-нм процес. Това може да е вярно по отношение на техническите спецификации, но Intel все още не е надминал TSMC.

На няколко пъти Samsung обяви, че изпреварва TSMC в усвояването на по-модерни технологични процеси, но корейският чипмейкър не успя да си осигури ключови клиенти за тях. Изводът е, че обявяването на по-напреднали технологични процеси спрямо конкурентите не означава непременно успех. Нивата на годно производство, партньорствата с доставчици и съвместната разработка играят по-важна роля.

При 10-нм процес TSMC постига силициева плътност от 53 милиона транзистора на квадратен милиметър, докато Samsung постига 52 милиона, т.е. почти същия резултат, отбелязва DigiTimes. Но 10-нм процес на Intel има плътност от 106 милиона транзистора на квадратен милиметър, което е по-добро постижение дори от 97-те милиона транзистора при 7-нм на TSMC и 95-те милиона при 7-нм на Samsung.

Но въпреки това Intel не спечели клиенти с по-добрите параметри на своята технология. Основният въпрос всъщност е нивото на добив при обемно производство и доверието на клиентите. 7-нанометровата технология на Intel поставя висок стандарт от 180 милиона транзистора на квадратен милиметър, но това е само еталон за високотехнологичния сектор, което не значи, че е икономически изгоден.

TSMC изглежда излиза все по-напред спрямо Samsung със своя 5-нм процес, постигащ плътност от 173 милиона транзистора. Това е сравнимо с плътността от 180 милиона транзистора при 7-нм процес на Intel и надвишава плътността от 170 милиона транзистора при 3-нм процес на Samsung.

Сама по себе си плътността на транзисторите не гарантира пазарния успех на един профилен продукт. Достатъчно е да си припомним многострадалната 10-нм технология на Intel, която повиши плътността на транзисторите до 106 милиона броя на квадратен милиметър срещу 52-53 милиона при конкурентите, но развитието на този етап от литографията отне няколко години и струва на компанията значителни разходи.

В същото време TSMC първа внедри широко EUV оборудването в своите производствени линии. Повече от половината от EUV машините, произведени в световен мащаб, се използват именно от TSMC, а компанията е отговорна за над 70% от глобалното производство на чипове.

TSMC не само се радва на висок марж на печалба, но на практика натрупа и много практически опит в контрола и подобряването на проблема с праха върху EUV маските. Това позволи на тайванския чипмейкър да заеме 55% дял пазара за производство на чипове по договор и да генерира над 80% от световните приходи в сегмента.

Вижте още:
На фона на търговската война за полупроводници ЕС търси „стратегическа автономия“В момента Европа представлява едва десет процента от световната полупроводникова индустрия, но Европ…Feb 23 2021skafeto.com

Глобалният недостиг на чипове застрашава цялата икономикаВъздействието на глобалния недостиг на чипове започва да оказва пряко влияние върху икономическия ра…Jul 17 2021skafeto.com


loading...