Надпреварата за по-малко нанометри в производството на чипове повдига не без основание въпроса доколко коректно е сравнението по този показател на технологиите на Intel, TSMC, Samsung и останалите чипмейкъри.
Експертните анализи сочат, че цифровото обозначение не винаги позволява адекватно да се преценят геометричните характеристики на транзисторите. Intel твърди, че 7-нм процес на TSMC е еквивалент на нейния 10-нм процес. Това може да е вярно по отношение на техническите спецификации, но Intel все още не е надминал TSMC.
На няколко пъти Samsung обяви, че изпреварва TSMC в усвояването на по-модерни технологични процеси, но корейският чипмейкър не успя да си осигури ключови клиенти за тях. Изводът е, че обявяването на по-напреднали технологични процеси спрямо конкурентите не означава непременно успех. Нивата на годно производство, партньорствата с доставчици и съвместната разработка играят по-важна роля.
При 10-нм процес TSMC постига силициева плътност от 53 милиона транзистора на квадратен милиметър, докато Samsung постига 52 милиона, т.е. почти същия резултат, отбелязва DigiTimes. Но 10-нм процес на Intel има плътност от 106 милиона транзистора на квадратен милиметър, което е по-добро постижение дори от 97-те милиона транзистора при 7-нм на TSMC и 95-те милиона при 7-нм на Samsung.
Но въпреки това Intel не спечели клиенти с по-добрите параметри на своята технология. Основният въпрос всъщност е нивото на добив при обемно производство и доверието на клиентите. 7-нанометровата технология на Intel поставя висок стандарт от 180 милиона транзистора на квадратен милиметър, но това е само еталон за високотехнологичния сектор, което не значи, че е икономически изгоден.
TSMC изглежда излиза все по-напред спрямо Samsung със своя 5-нм процес, постигащ плътност от 173 милиона транзистора. Това е сравнимо с плътността от 180 милиона транзистора при 7-нм процес на Intel и надвишава плътността от 170 милиона транзистора при 3-нм процес на Samsung.
Сама по себе си плътността на транзисторите не гарантира пазарния успех на един профилен продукт. Достатъчно е да си припомним многострадалната 10-нм технология на Intel, която повиши плътността на транзисторите до 106 милиона броя на квадратен милиметър срещу 52-53 милиона при конкурентите, но развитието на този етап от литографията отне няколко години и струва на компанията значителни разходи.
В същото време TSMC първа внедри широко EUV оборудването в своите производствени линии. Повече от половината от EUV машините, произведени в световен мащаб, се използват именно от TSMC, а компанията е отговорна за над 70% от глобалното производство на чипове.
TSMC не само се радва на висок марж на печалба, но на практика натрупа и много практически опит в контрола и подобряването на проблема с праха върху EUV маските. Това позволи на тайванския чипмейкър да заеме 55% дял пазара за производство на чипове по договор и да генерира над 80% от световните приходи в сегмента.
